 |
BCP53-10,135 — TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT223
| ||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | BCP53-10,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| BCP53-16,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| BCP52-10,135 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
 | BCX53,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| BCP51-10,135 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| BCP53-16,135 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| BCP52,135 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| BCP53,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 1.3W · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| BCX53-10,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| BCP51,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| BCX53-10,135 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца