BCP6925TA | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 500mA, 1V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BCP6925TC	Diodes/Zetex	TRANSISTOR PNP MED PWR SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BCP6825TC	Diodes/Zetex	TRANSISTOR NPN MED PWR SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BCP69TA	Diodes/Zetex	TRANS PNP BIPOL 20V 1A SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 500mA, 1V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA		Доп. информация Искать в поставщиках
	BCP6825TA	Diodes/Zetex	TRANSISTOR NPN 1A 20V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

BCP6925TA — TRANSISTOR PNP -20V -1A SOT223

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам