Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
![]() | BCW60A | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
![]() | BCW60B | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
![]() | BCW60A_D87Z | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | BCW60D | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |