BCW61DMTF | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BCW61CMTF	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BCW61BMTF	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BCW61AMTF	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BCW60D	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

BCW61DMTF — TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT-23

Схожие по характеристикам