BCX51-16,115 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BCX51-16,135	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BCX51,115	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BCX52-16,115	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BCP51-16,135	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BCX51-10,115	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BCP51-16,115	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BCX53-16,115	NXP Semiconductors	TRANS PNP MED 1A 80V SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 650мВт · Модуляция частот: 145MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

BCX51-16,115 — TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT89

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам