Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)
 
BCX53,115

BCX53,115 — TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT89

ПроизводительNXP Semiconductors
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)80V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Ток коллектора (макс)1A
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce63 @ 150mA, 2V
Мощность макcимальная650мВт
Модуляция частот145MHz
Тип транзистораPNP
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
Встречается под наим.BCX53 T/R, BCX53 T/R-ND
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BCX53-10,135BCX53-10,135NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 80V 1A SOT89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 650мВт  ·  Модуляция частот: 145MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
BCX53-10,115BCX53-10,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 80V 1A SOT89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 650мВт  ·  Модуляция частот: 145MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BCX52,115BCX52,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 60V 1A SOT89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 650мВт  ·  Модуляция частот: 145MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
BCX53-16,115BCX53-16,115NXP SemiconductorsTRANS PNP MED 1A 80V SOT89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 650мВт  ·  Модуляция частот: 145MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках
BCP53-10,115BCP53-10,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 80V 1A SOT223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 650мВт  ·  Модуляция частот: 145MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
BCP53-10,135BCP53-10,135NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 80V 1A SOT223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 650мВт  ·  Модуляция частот: 145MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
BCX53,146NXP SemiconductorsTRANS PNP MED-PWR 80V 1A SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Модуляция частот: 145MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
BCX51,115BCX51,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 45V 1A SOT89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 650мВт  ·  Модуляция частот: 145MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
BCX51-10,115BCX51-10,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 45V 1A SOT89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 650мВт  ·  Модуляция частот: 145MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
BCX52-10,115BCX52-10,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 60V 1A SOT89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 650мВт  ·  Модуляция частот: 145MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «BCX53,115» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте