Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель	ON Semiconductor

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	80V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
Ток коллектора (макс)	1.5A
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 150mA, 2V
Мощность макcимальная	1.25W
Тип транзистора	PNP
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-225-3
Встречается под наим.	BD140OS

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BD140G	ON Semiconductor	TRANS PNP 1.5A80V HPWR TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-225-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов