Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель	ON Semiconductor

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	350В
Ток коллектора (макс)	500mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 50mA, 10V
Мощность макcимальная	20Вт
Тип транзистора	NPN
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-225-3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BD159G	ON Semiconductor	TRANS NPN 350V 0.5A BIPO TO-225 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V · Мощность макcимальная: 20Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-225-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов