 | BD435G | ON Semiconductor | TRANS NPN 32V 4A BIPO TO-225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 36Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-225-3 | от 0,00 | Доп. информация
Искать в поставщиках |
| BD435 | ON Semiconductor | TRANS NPN 32V 4A BIPO TO-225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 36Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-225-3 | | Доп. информация
Искать в поставщиках |
