 - Габаритный чертеж |
BD537 — TRANSISTOR POWER NPN TO-220
| ||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | BD537KTU | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 80V 8A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 50Вт · Модуляция частот: 12MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| BD537K | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 80V 8A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 50Вт · Модуляция частот: 12MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| BD537J | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 80V 8A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 50Вт · Модуляция частот: 12MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads) | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца
