BD681 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-225-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-225-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-225-3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BD681G	ON Semiconductor	TRANS DARL NPN 4A 100V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-225-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BD677	ON Semiconductor	TRANS DARL NPN 60V 4A BIPO TO225 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-225-3		Доп. информация Искать в поставщиках
	BD677G	ON Semiconductor	TRANS DARL NPN 60V 4A BIPO TO225 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-225-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BD679	ON Semiconductor	TRANS DARL NPN 4A 80V TO225 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-225-3		Доп. информация Искать в поставщиках
	BD679G	ON Semiconductor	TRANS DARL NPN 4A 80V TO225 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-225-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

BD681 — TRANS DARL NPN 4A 100V TO225AA

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам