BDX34B | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BDX34BG	ON Semiconductor	TRANS DARL PNP 80V 10A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BDX34CG	ON Semiconductor	TRANS DARL PNP 100V 10A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BDX34C	ON Semiconductor	TRANS DARL PNP 100V 10A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)		Доп. информация Искать в поставщиках
	BDX33B	ON Semiconductor	TRANS DARL NPN 80V 10A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)		Доп. информация Искать в поставщиках
	BDX33BG	ON Semiconductor	TRANS DARL NPN 80V 10A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

BDX34B — TRANS DARL PNP 80V 10A TO-220AB

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам