Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
![]() | BST16,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 300V 200MA SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V · Мощность макcимальная: 1.3W · Модуляция частот: 15MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |