D45H8 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 70Вт · Модуляция частот: 40MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 70Вт · Модуляция частот: 40MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	D45H8G	ON Semiconductor	TRANS PNP 10A 60V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 70Вт · Модуляция частот: 40MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	D45H11G	ON Semiconductor	TRANS PNP 10A 80V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 70Вт · Модуляция частот: 40MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	D45H11	ON Semiconductor	TRANS PNP 10A 80V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 70Вт · Модуляция частот: 40MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

D45H8 — TRANS PNP 10A 80V TO220AB

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам