Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

 
KSC2316YBU

KSC2316YBU — TRANSISTOR NPN 120V 800MA TO-92L

ПроизводительFairchild Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)120V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
Ток коллектора (макс)800mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 5V
Мощность макcимальная900мВт
Модуляция частот120MHz
Тип транзистораNPN
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-92-3 (Long Body), TO-226
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
KSC2316YTAKSC2316YTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 120V 800MA TO-92L
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2SC2235-Y(F)2SC2235-Y(F)ToshibaTRANSISTOR NPN 120V 0.8A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
KSC2316OTAKSC2316OTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 120V 800MA TO-92L
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
KSC2316OBUKSC2316OBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 120V 800MA TO-92L
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «KSC2316YBU» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте