Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

 
KSD401O

KSD401O — TRANSISTOR NPN 150V 2A TO-220

ПроизводительFairchild Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Обратите вниманиеLead Frame Dimensions Change 29 ноя 2007
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)150V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
Ток коллектора (макс)2A
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 400mA, 10V
Мощность макcимальная25Вт
Модуляция частот5MHz
Тип транзистораNPN
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-220-3 (Straight Leads)
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
KSD401YKSD401YFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 150V 2A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 25Вт  ·  Модуляция частот: 5MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
KSD401FYTUKSD401FYTUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 150V 2A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 25Вт  ·  Модуляция частот: 5MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
KSD401YTUKSD401YTUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 150V 2A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 25Вт  ·  Модуляция частот: 5MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
KSB546YKSB546YFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 150V 2A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 25Вт  ·  Модуляция частот: 5MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
KSB546YTUKSB546YTUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 150V 2A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 25Вт  ·  Модуляция частот: 5MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
KSD401GKSD401GFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 150V 2A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 400mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 25Вт  ·  Модуляция частот: 5MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «KSD401O» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте