Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

 

KSE802STU — TRANSISTOR NPN 80V 4A TO-126

ПроизводительFairchild Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)80V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic2.5V @ 30mA, 1.5A
Ток коллектора (макс)4A
Ток отсечки коллетора (vfrc)100µA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 1.5A, 3V
Мощность макcимальная40Вт
Тип транзистораNPN - Darlington
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-126-3 (Straight Leads)
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MJE802STUFairchild SemiconductorTRANSISTOR DARL NPN 80V 4A TO126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
KSE800SFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 60V 4A TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
MJE702STUFairchild SemiconductorTRANSISTOR DARL PNP 80V 4A TO126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
KSE800STSSTUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 60V 4A TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
KSE800STUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 60V 4A TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MJE800STUFairchild SemiconductorTRANSISTOR DARL NPN 60V 4A TO126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
KSE702STUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 80V 4A TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
KSE702SFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 80V 4A TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «KSE802STU» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте