 - Габаритный чертеж |
MJ11016G — TRANS DARL NPN 30A 120V TO3
| ||||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | MJ11016 | ON Semiconductor | TRANS DARL NPN 30A 120V TO3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A · Ток коллектора (макс): 30A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| MJ11015 | ON Semiconductor | TRANS DARL PNP 30A 120V TO3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A · Ток коллектора (макс): 30A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MJ11015G | ON Semiconductor | TRANS DARL PNP 30A 120V TO3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A · Ток коллектора (макс): 30A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца
