Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

 
MJ11021

MJ11021 — TRANS DARL PNP 15A 250V TO-3

ПроизводительON Semiconductor
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)250V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic2V @ 100mA, 10A
Ток коллектора (макс)15A
Ток отсечки коллетора (vfrc)1mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce400 @ 10A, 5V
Мощность макcимальная175W
Модуляция частот3MHz
Тип транзистораPNP - Darlington
Тип монтажаChassis Mount
КорпусTO-204, TO-3
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MJ11022MJ11022ON SemiconductorTRANS DARL NPN 15A 250V TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 175W  ·  Модуляция частот: 3MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
MJ11021GMJ11021GON SemiconductorTRANS DARL PNP 15A 250V TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 175W  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MJ11021» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте