Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
![]() | MJD112T4 | ON Semiconductor | TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
![]() | MJD112T4G | ON Semiconductor | TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
![]() | MJD112G | ON Semiconductor | TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
![]() | MJD112 | ON Semiconductor | TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
![]() | MJD117 | ON Semiconductor | TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MJD112RLG | ON Semiconductor | TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
![]() | MJD117G | ON Semiconductor | TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
![]() | MJD117T4G | ON Semiconductor | TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
MJD117RLG | ON Semiconductor | TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MJD117T4 | ON Semiconductor | TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |