Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
KSH112GTM_NB82051 | Fairchild Semiconductor | TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 1.75W · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
KSH112GTM | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 100V 2A DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 1.75W · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
KSH112GTM_SB82051 | Fairchild Semiconductor | TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 1.75W · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
KSH112TF | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 100V 2A DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 1.75W · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | KSH112TM | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 100V 2A DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 1.75W · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
![]() | MJD117TF | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR PNP DARL 100V 2A DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 1.75W · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |