MJD117-001 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MJD117-1G	ON Semiconductor	TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MJD112-001	ON Semiconductor	TRANS DARL NPN 2A 100V STR DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)		Доп. информация Искать в поставщиках
	MJD112-1G	ON Semiconductor	TRANS DARL NPN 2A 100V STR DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 25MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

MJD117-001 — TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK-3

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам