 |
MJD31CT4 — TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK
| ||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | MJD31CG | ON Semiconductor | TRANS POWER NPN 3A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MJD31CT4G | ON Semiconductor | TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MJD31CRL | ON Semiconductor | TRANS POWER NPN 3A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| MJD31T4G | ON Semiconductor | TRANS POWER NPN 3A 40V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MJD32CT4 | ON Semiconductor | TRANS PWR PNP 3A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MJD32CRLG | ON Semiconductor | TRANS POWER PNP 3A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MJD32CG | ON Semiconductor | TRANS POWER PNP 3A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MJD31T4 | ON Semiconductor | TRANS POWER NPN 3A 40V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MJD32CRL | ON Semiconductor | TRANS POWER PNP 3A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| MJD32CT4G | ON Semiconductor | TRANS PWR PNP 3A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MJD31CRLG | ON Semiconductor | TRANS POWER NPN 3A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
