 - Габаритный чертеж |
MJD45H11TF — TRANSISTOR PNP 80V 8A DPAK
| ||||||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | MJD45H11TM | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR PNP 80V 8A DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V · Мощность макcимальная: 1.75W · Модуляция частот: 40MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| KSH45H11TF | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR PNP 80V 8A DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V · Мощность макcимальная: 1.75W · Модуляция частот: 40MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| KSH45H11TM | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR PNP 80V 8A DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V · Мощность макcимальная: 1.75W · Модуляция частот: 40MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца
