 |
MJD50T4 — TRANS PWR NPN 1A 400V DPAK
| ||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | MJD50T4G | ON Semiconductor | TRANS PWR NPN 1A 400V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 10MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MJD50G | ON Semiconductor | TRANS POWER NPN 1A 400V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 10MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MJD50 | ON Semiconductor | TRANS POWER NPN 1A 400V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 10MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| MJD47 | ON Semiconductor | TRANS POWER NPN 1A 250V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 10MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| MJD47T4G | ON Semiconductor | TRANS PWR NPN 1A 250V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 10MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MJD47T4 | ON Semiconductor | TRANS PWR NPN 1A 250V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 10MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MJD47G | ON Semiconductor | TRANS POWER NPN 1A 250V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 10MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
