Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)
 
MJE18006

MJE18006 — TRANS PWR NPN 8A 450V TO-220AB

ПроизводительON Semiconductor
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)450V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic600mV @ 130mA, 1.3A
Ток коллектора (макс)6A
Ток отсечки коллетора (vfrc)100µA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce14 @ 500mA, 5V
Мощность макcимальная100Вт
Модуляция частот14MHz
Тип транзистораNPN
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-220-3 (Straight Leads)
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MJE18006GMJE18006GON SemiconductorTRANS PWR NPN 8A 450V TO-220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 130mA, 1.3A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 100Вт  ·  Модуляция частот: 14MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MJE18006» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте