Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель	ON Semiconductor

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	400В
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	2V @ 200mA, 4A
Ток коллектора (макс)	8A
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 500mA, 5V
Мощность макcимальная	80Вт
Тип транзистора	NPN - Darlington
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 (Straight Leads)
Встречается под наим.	MJE5742OS

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MJE5742G	ON Semiconductor	TRANS DARL NPN 8A 400V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 200mA, 4A · Ток коллектора (макс): 8A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 80Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов