Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

 
MJL21196

MJL21196 — TRANS PWR COMP 16A 250V TO264

ПроизводительON Semiconductor
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)250V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic1.4V @ 800mA, 8A
Ток коллектора (макс)16A
Ток отсечки коллетора (vfrc)100µA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 8A, 5V
Мощность макcимальная200Вт
Модуляция частот4MHz
Тип транзистораNPN
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-264-3, TO-3BPL
Встречается под наим.MJL21196OS
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MJL21194MJL21194ON SemiconductorTRANS PWR NPN 16A 250V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
Доп. информация
Искать в поставщиках
MJL21194GMJL21194GON SemiconductorTRANS PWR NPN 16A 250V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
MJL21196GMJL21196GON SemiconductorTRANS PWR COMP 16A 250V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MJL21193MJL21193ON SemiconductorTRANS PWR PNP 16A 250V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
Доп. информация
Искать в поставщиках
NJL21194DGON SemiconductorTRANS THERMALTRK NPN 200W TO-264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-5
Доп. информация
Искать в поставщиках
MJL21195MJL21195ON SemiconductorTRANS PWR COMP 16A 250V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
MJL21193GMJL21193GON SemiconductorTRANS PWR PNP 16A 250V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
MJL21195GMJL21195GON SemiconductorTRANS PWR COMP 16A 250V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MJL21196» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте