MJW21193 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MJW21193G	ON Semiconductor	TRANS BIPO PNP 16A 250V TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	NJW21193G	ON Semiconductor	TRANS PNP 16A 250V 200W TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3, TO-247-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MJW21194G	ON Semiconductor	TRANS BIPO NPN 16A 250V TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MJW21195G	ON Semiconductor	TRANS BIPO PNP 16A 250V TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MJW21194	ON Semiconductor	TRANS BIPO NPN 16A 250V TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC		Доп. информация Искать в поставщиках
	MJW21195	ON Semiconductor	TRANS BIPO PNP 16A 250V TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

MJW21193 — TRANS BIPO PNP 16A 250V TO247

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам