MMBTA13_D87Z — TRANS DARL NPN 30V 1.2A SOT-23
| ||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | MMBTA13 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR DARL NPN 1.2A SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1.2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| MMBTA14 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN GEN PURP SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1.2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| KST13MTF | Fairchild Semiconductor | TRANS DARL NPN 30V 300MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 300mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MMBTA14_D87Z | Fairchild Semiconductor | TRANS DARL NPN 30V 1.2A SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1.2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| MMBTA63 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR DARL PNP SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1.2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца