 |
MMBTA55LT1 — TRANS DRIVER SS PNP 60V SOT23
| ||||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | MMBTA55LT1G | ON Semiconductor | TRANS DRIVER SS PNP 60V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MMBTA55LT3 | ON Semiconductor | TRANS DRVR PNP 60V 500MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| MMBTA56LT1G | ON Semiconductor | TRANS DRIVER SS PNP 80V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MMBTA56LT3 | ON Semiconductor | TRANS DRVR PNP 80V 500MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MMBTA56LT3G | ON Semiconductor | TRANS DRVR PNP 80V 500MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MMBTA56LT1 | ON Semiconductor | TRANS DRIVER SS PNP 80V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
