Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

 
MMJT9435T1

MMJT9435T1 — TRANS PNP BIPOLAR 3A 30V SOT223

ПроизводительON Semiconductor
Обратите вниманиеИзменены характеристики продукта - 2 апр 2007
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)30В
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic210mV @ 20mA, 800mA
Ток коллектора (макс)3A
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce125 @ 800mA, 1V
Мощность макcимальная3Вт
Модуляция частот110MHz
Тип транзистораPNP
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Встречается под наим.MMJT9435T1OSTR
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MMJT9435T1GMMJT9435T1GON SemiconductorTRANS PNP BIPOLAR 3A 30V SOT223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 20mA, 800mA  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 3Вт  ·  Модуляция частот: 110MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
MMJT9435T3GMMJT9435T3GON SemiconductorTRANS BIPO PNP 3A 30V SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 20mA, 800mA  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 3Вт  ·  Модуляция частот: 110MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
MMJT9435T3MMJT9435T3ON SemiconductorTRANS BIPO PNP 3A 30V SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 20mA, 800mA  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 3Вт  ·  Модуляция частот: 110MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MMJT9435T1» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте