Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
![]() | MMJT9435T1G | ON Semiconductor | TRANS PNP BIPOLAR 3A 30V SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 20mA, 800mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V · Мощность макcимальная: 3Вт · Модуляция частот: 110MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MMJT9435T3G | ON Semiconductor | TRANS BIPO PNP 3A 30V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 20mA, 800mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V · Мощность макcимальная: 3Вт · Модуляция частот: 110MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MMJT9435T3 | ON Semiconductor | TRANS BIPO PNP 3A 30V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 20mA, 800mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V · Мощность макcимальная: 3Вт · Модуляция частот: 110MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |