MPS650G | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 75MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MPS650RLRA	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN GP 2A 40V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 75MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPS650ZL1	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN GP 2A 40V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 75MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

MPS650G — TRANS NPN SS 2A 40V TO92

Аналогичные по характеристикам