 |
MPSA06RLG — TRANS NPN GP BIPO LP 80V TO-92
| ||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | MPSA06RLRM | ON Semiconductor | TRANS NPN GP BIPO LP 80V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
 | MPSA06RLRAG | ON Semiconductor | TRANS NPN GP SS 80V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MPSA06RLRA | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 80V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| MPSA06RL | ON Semiconductor | TRANS NPN GP BIPO LP 80V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| MPSA06G | ON Semiconductor | TRANS NPN GP BIPO LP 80V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MPSA06RL1G | ON Semiconductor | TRANS NPN GP BIPO LP 80V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MPSA06RLRPG | ON Semiconductor | TRANS NPN GP BIPO LP 80V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MPSA06RL1 | ON Semiconductor | TRANS NPN GP BIPO LP 80V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| MPSA05G | ON Semiconductor | TRANS NPN GP BIPO LP 60V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MPSA05RLRMG | ON Semiconductor | TRANS NPN GP BIPO LP 60V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MPSA05RLRA | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 60V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
 | MPSA06_D74Z | Fairchild Semiconductor | TRANS GP NPN 80V 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MPSA06_D75Z | Fairchild Semiconductor | TRANS GP NPN 80V 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MPSA06_D26Z | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR AMP NPN GP TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MPSA06RA | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN GEN PURP TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MPSA06 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR AMP NPN GP TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MPSA05RLRAG | ON Semiconductor | TRANS NPN GP SS 60V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MPSA06_D27Z | Fairchild Semiconductor | TRANS GP NPN 80V 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| MPSA05RLRM | ON Semiconductor | TRANS NPN GP BIPO LP 60V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца