 - Дополнительное фото |
MPSA28 — TRANS NPN DARL SS 80V TO92
| ||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | MPSA28G | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL SS 80V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 10mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| MPSA28RLRPG | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL BIPO 80V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 10mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| MPSA28RLRP | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL BIPO 80V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 10mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| MPSA29 | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL BIPO 100V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 10mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| MPSA29RLRPG | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL SS 100V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 10mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
 | MPSA29RLRP | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL SS 100V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 10mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| MPSA29G | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL BIPO 100V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 10mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
