MPSA44RL1 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 300mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MPSA44G	ON Semiconductor	TRANS NPN GP BIPO 400V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 300mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA44RLRAG	ON Semiconductor	TRANS NPN GP SS 400V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 300mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA44RL1G	ON Semiconductor	TRANS NPN GP BIPO 400V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 300mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA44RLRA	ON Semiconductor	TRANS NPN SS GP 400V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 300mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

MPSA44RL1 — TRANS NPN GP BIPO 400V TO-92

Аналогичные по характеристикам