PBSS9110S,126 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 25mA, 250mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V · Мощность макcимальная: 830mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PBSS9110AS,126	NXP Semiconductors	TRANS PNP 100V 1A LOW SAT TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 25mA, 250mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V · Мощность макcимальная: 830mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

PBSS9110S,126 — TRANS PNP 100V 1A LOW SAT TO92

Аналогичные по характеристикам