STPSA92 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	STPSA92-AP	STMicroelectronics	TRANSISTOR SS PNP TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MPSA92RL1	ON Semiconductor	TRANS PNP GP BIPO LP 300V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92RA	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR PNP HI VOLT GP TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR AMP PNP SS 300V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	KSP92TA	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR PNP 300V 0.5A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92	ON Semiconductor	TRANS PNP GP BIPO LP 300V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92_D81Z	Fairchild Semiconductor	TRANS PNP 300V 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92RLRMG	ON Semiconductor	TRANS PNP GP BIPO LP 300V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92RLRAG	ON Semiconductor	TRANS PNP GP SS HV 300V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92_D74Z	Fairchild Semiconductor	TRANS PNP 300V 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92_D27Z	Fairchild Semiconductor	TRANS PNP 300V 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92_D26Z	Fairchild Semiconductor	TRANS PNP 300V 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92_J22Z	Fairchild Semiconductor	TRANS PNP 300V 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92RLRPG	ON Semiconductor	TRANS PNP GP BIPO LP 300V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92RLRA	ON Semiconductor	TRANS PNP SS GP HV 300V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	KSP92BU	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR PNP 300V 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92ZL1G	ON Semiconductor	TRANS PNP GP BIPO LP 300V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92_D75Z	Fairchild Semiconductor	TRANS PNP 300V 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92RLRP	ON Semiconductor	TRANS PNP GP BIPO LP 300V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92RL1G	ON Semiconductor	TRANS PNP GP BIPO LP 300V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	STPSA42	STMicroelectronics	TRANSISTOR NPN 300V 0.5A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92ZL1	ON Semiconductor	TRANS PNP GP BIPO LP 300V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA92G	ON Semiconductor	TRANS PNP GP BIPO LP 300V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	STPSA42-AP	STMicroelectronics	TRANSISTOR SS NPN TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

MPSA92RL1

ON Semiconductor

TRANS PNP GP BIPO LP 300V TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Доп. информация
Искать в поставщиках

MPSA92

Fairchild Semiconductor

TRANSISTOR AMP PNP SS 300V TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

от 0,00
от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

MPSA92

ON Semiconductor

TRANS PNP GP BIPO LP 300V TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Доп. информация
Искать в поставщиках

MPSA92RLRMG

ON Semiconductor

TRANS PNP GP BIPO LP 300V TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

MPSA92_D74Z

Fairchild Semiconductor

TRANS PNP 300V 500MA TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

MPSA92_D26Z

Fairchild Semiconductor

TRANS PNP 300V 500MA TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

MPSA92RLRPG

ON Semiconductor

TRANS PNP GP BIPO LP 300V TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

KSP92BU

Fairchild Semiconductor

TRANSISTOR PNP 300V 500MA TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

MPSA92_D75Z

Fairchild Semiconductor

TRANS PNP 300V 500MA TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

MPSA92RL1G

ON Semiconductor

TRANS PNP GP BIPO LP 300V TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

MPSA92ZL1

ON Semiconductor

TRANS PNP GP BIPO LP 300V TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Доп. информация
Искать в поставщиках

STPSA42-AP

STMicroelectronics

TRANSISTOR SS NPN TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Доп. информация
Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

STPSA92 — TRANSISTOR SS PNP TO-92

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам