TIP116-BP | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 50Вт · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	TIP116	ON Semiconductor	TRANS DARL PNP 2A 80V TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 50Вт · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)		Доп. информация Искать в поставщиках
	TIP116G	ON Semiconductor	TRANS DARL PNP 2A 80V TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 50Вт · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

TIP116-BP — TRANS DARL PNP 2A 80V TO-220

Схожие по характеристикам