TIP122TU | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	TIP122	Fairchild Semiconductor	TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	TIP121TU	Fairchild Semiconductor	TRANS DARL NPN 80V 5A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	TIP120TU	Fairchild Semiconductor	TRANS DARL NPN 60V 5A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	TIP120	Fairchild Semiconductor	TRANS NPN DARL 60V 5A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	TIP121	Fairchild Semiconductor	TRANS DARL NPN 80V 5A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

TIP122TU — TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам