TIP29C | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	TIP29CTU	Fairchild Semiconductor	TRANS NPN GP 100V 1A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	TIP29CTSTU	Fairchild Semiconductor	TRANS GP NPN 1A 100V TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)		Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	TIP30CTU	Fairchild Semiconductor	TRANS GP PNP 1A 100V TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	TIP29	Fairchild Semiconductor	TRANS GP NPN 1A 40V TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	TIP29A	Fairchild Semiconductor	TRANS GP NPN 1A 100V TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	TIP29ATU	Fairchild Semiconductor	TRANS GP NPN 1A 60V TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	TIP30C	Fairchild Semiconductor	TRANS PNP GP 100V 1A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 2Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

TIP29C — TRANS NPN EPITAX 100V 1A TO-220

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам