TIP36C | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1.5A, 15A · Ток коллектора (макс): 25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V · Мощность макcимальная: 125Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	TIP36CW	STMicroelectronics	TRANSISTOR PNP 100V 25A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1.5A, 15A · Ток коллектора (макс): 25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V · Мощность макcимальная: 125Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	TIP35CW	STMicroelectronics	TRANSISTOR NPN 100V 25A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1.5A, 15A · Ток коллектора (макс): 25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V · Мощность макcимальная: 125Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

TIP36C — TRANSISTOR PNP 100V 25A TO-247

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам