Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

 
ZTX1147A

- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж

ZTX1147A — TRANS PNP -12V -4000MA TO92-3

ПроизводительDiodes/Zetex
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)12В
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic110mV @ 2.5mA, 500mA
Ток коллектора (макс)4A
Ток отсечки коллетора (vfrc)100nA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce250 @ 500mA, 2V
Мощность макcимальная1Вт
Модуляция частот115MHz
Тип транзистораPNP
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-92-3 (Standard Body), TO-226
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
ZTX1147ASTOBZTX1147ASTOBDiodes/ZetexTRANSISTOR PNP HIGH GAIN TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 2.5mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 115MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
ZTX1147ASTZZTX1147ASTZDiodes/ZetexTRANSISTOR PNP HIGH GAIN TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 2.5mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 115MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
ZTX1147ASTOAZTX1147ASTOADiodes/ZetexTRANSISTOR PNP HIGH GAIN TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 2.5mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 115MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «ZTX1147A» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте