Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
![]() | ZTX788BSTZ | Diodes/Zetex | TRANSISTOR PNP HI GAIN TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
![]() | ZTX788BSTOB | Diodes/Zetex | TRANSISTOR PNP HI GAIN TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
![]() | ZTX788BSTOA | Diodes/Zetex | TRANSISTOR PNP HI GAIN TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |