Дискретные полупроводники · Диоды Зеннера (одиночные)

Производитель	Fairchild Semiconductor
Вредные вещества	RoHS Без свинца
Обратите внимание	Die Shrink Change 02 ноя 2007

Напряжение Зенера номинальное	18В
Прямое напряжение	1.2V @ 200mA
Обратный ток утечки	100nA @ 14V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Мощность макcимальная	500мВт
Полное сопротивление (импеданс)	42 Ohm
Тип монтажа	Through Hole, Axial
Корпус	DO-35, DO-204AH, Axial
Operating Temperature	-65°C ~ 200°C

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	1N6006B_T50R	Fairchild Semiconductor	DIODE ZENER 18V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 18В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 14V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 42 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	1N6006B_T50A	Fairchild Semiconductor	DIODE ZENER 18V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 18В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 14V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 42 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов