 |
IR2118 — IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP
| ||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| IR2118PBF | International Rectifier | IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP Конфигурация: High-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 250mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | IR2118SPBF | International Rectifier | IC MOSFET DRIVER HIGH SIDE 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 250mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
 | IR2117PBF | International Rectifier | IC HIGH SIDE DRIVER SGL 8-DIP Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 250mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| IR2118STR | International Rectifier | IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 250mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | |
 | IRS2118PBF | International Rectifier | IC DRIVER MOSFET/IGBT 1CH 8-DIP Конфигурация: High-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 290mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| IR2118STRPBF | International Rectifier | IC MOSFET DRIVER 1CHANNEL 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 250mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| IR2117 | International Rectifier | IC MOSFET DRIVER SGL-CH 8-DIP Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 250mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| IR2118S | International Rectifier | IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 250mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
