Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
IRS2117STRPBF | International Rectifier | IC DRIVER SGL CHAN 8-SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 290mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
IRS21171STRPBF | International Rectifier | IC DRIVER HI SIDE SGL 600V 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 160ns · Ток пиковое значение: 290mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
IRS2117PBF | International Rectifier | IC DRIVER MOSFET/IGBT 1CH 8-DIP Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 290mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
IR2117STRPBF | International Rectifier | IC MOSFET DRIVER 1CHANNEL 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 250mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
IR2117SPBF | International Rectifier | IC MOSFET DRIVER 1CHAN 8SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 250mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
IR2117S | International Rectifier | IC MOSFET DRIVER SGL-CH 8-SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 250mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
IRS2118SPBF | International Rectifier | IC DRIVER MOSFET/IGBT 1CH 8-SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 290mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
IRS2118STRPBF | International Rectifier | IC DRIVER SGL CHAN 8-SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 290mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
IR2117STR | International Rectifier | IC MOSFET DRIVER SGL-CH 8-SOIC Конфигурация: High-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 125ns · Ток пиковое значение: 250mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |