ICS181M-51LFT — IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC
| ||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| ICS180M-52T | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ICS181M-53LFT | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
 | ICS180M-51LF | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| ICS180M-52LFT | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ICS181M-53T | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ICS181M-51T | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ICS180M-01LFT | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ICS180M-01 | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ICS180M-52 | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ICS180M-03T | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ICS181M-02T | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
 | ICS181M-52LF | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| ICS181M-01T | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
 | ICS180M-01LF | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| ICS180M-03LFT | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ICS181M-53 | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ICS181M-02LFT | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ICS181M-52LFT | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
 | ICS180M-53LF | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
 | ICS181M-53LF | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| ICS181M-01 | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| ICS180M-51T | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
 | ICS181M-03LF | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
 | ICS180M-03LF | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| ICS180M-53 | IDT, Integrated Device Technol | IC CLOCK GEN LOW EMI 8-SOIC Тип: Clock Generator · Вход: Clock, Crystal · Выход: CMOS · Число выходов: 1 · Частота -макс.: 28MHz · Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца