ChipFind - документация

Электронный компонент: КТ 8155 А

Скачать:  PDF   ZIP
РљРў 8155 Рђ,Р‘,Р’,Р“
Мощный высоковольтный переключательный транзистор


Максимальные электрические характеристики

Электрические характеристики
Кремниевые планарные N-P-N мощные высоковольтные переключательные транзисторы в
металлокерамическом корпусе предназначены для работы в переключающих схемах, импульсных
модуляторах, во вторичных источниках питания и других схемах аппаратуры широкого применения.
Наименование параметра,
единицы измерения
Букв.
обознач.
РќРѕСЂРјР°
РљРў 8155 Рђ
РљРў 8155 Р‘
РљРў 8155 Р’
РљРў
Максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор-база, В
U
РєР± max
600
500
600
Максимально допустимый
постоянный ток коллектора, А
I
Рє max
50
50
25
Максимально допустимый
импульсный ток коллектора, А
I
Рє Рё max
80
80
40
Максимально допустимый
постоянный ток базы, А
I
Р± max
16
16
6
Максимально допустимый
импульсный ток базы, А
I
Р± Рё max
25
25
12
Максимально допустимое
постоянное напряжение эмиттер-база, В
U
СЌР± max
8
8
8
Максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор-эмиттер, В
U
РєСЌ max
450
400
450
Максимально допустимая постоянная
рассеиваемая мощность коллектора
(t
РєРѕСЂРї
= -60 Сџ 25СљРЎ), Р’С‚
P
Рє max
250
250
175
Максимально допустимая температура
перехода, њC
T
пер max
150
150
150
Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач
РљРў 8155 Рђ
РљРў 8155 Р‘
РљРў 8155 Р’
РљРў 8155 Р“
Темп
РєРѕСЂ
не менее не более не менее не более не менее не более не менее не более
Обратный ток коллектора, mA
(U
РєР±
= 600 Р’)
(U
РєР±
= 500 Р’)
I
РєР±Рѕ
2
8
2
8
2
8
2
8
Обратный ток эмитттера, mA
(U
СЌР±
= 8 Р’)
I
СЌР±Рѕ
5
5
5
5
Напряж. насыщения база-
эмиттер, В
(I
k
= 30 Рђ; I
Р±
= 5.0 Рђ)
(I
k
= 16 Рђ; I
Р±
= 3.2 Рђ)
U
бэ нас
2.5
2.5
2.5
2.5
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В
(I
Рє
= 30 mA; I
Р±
= 5.0 A)
(I
Рє
= 16 mA; I
Р±
= 3.2 A)
U
кэ нас
1.5
2.5
2
1.5
2.5
2

1.5
2.5
2

1.5
2.5
2
(темп.о


Временные характеристики


Чертеж корпуса
Граничное напряжение, В
(I
Рє
= 0.1 A; L=25 РјРЅР“)
U
РєСЌРѕ РіСЂ.
450
400
450
400
Тепловое сопротивление
переход-корпус, њC/Вт
RС‚
Рї-Рє
0.5
0.5
0.71
0.71
Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач
РљРў 8155 Рђ
РљРў 8155 Р‘
РљРў 8155 Р’
РљРў 8155 Р“
Рў
Рє
не менее не более не менее не более не менее не более не менее не более
Время включения, мкс
(U
РєСЌ
= 300 Р’;
I
Р±1
= 5.0 A;
I
Рє
= 30 A)
(U
РєСЌ
= 300 Р’;
I
Р±1
= 3.2 A;
I
Рє
= 16 A)
t
РІРєР»
1.0
1.0
1.0
1.0
Время рассасывания, мкс
(U
РєСЌ
= 300 Р’;
I
Р±1
= -I
Р±2
= 5.0 A;
I
Рє
= 30 A)
(U
РєСЌ
= 300 Р’;
I
Р±1
= -I
Р±2
= 3.2 A;
I
Рє
= 16 A)
t
рас
2.5
2.5
2.5
2.5
Время спада, мкс
(U
РєСЌ
= 300 Р’;
I
Р±СЌ1
= -I
Р±СЌ2
= 5.0 A;
I
Рє
= 30 A)
(U
РєСЌ
= 300 Р’;
I
Р±СЌ1
= -I
Р±СЌ2
= 3.2 A;
I
Рє
= 16 A)
t
СЃРї
0.5
0.5
0.5
0.5