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1998
DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
MC-4516CB64ES, 4516CB64PS
16 M-WORD BY 64-BIT
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)
Document No. M13611EJ5V0DS00 (5th edition)
Date Published February 2000 NS CP (K)
Printed in Japan
The mark
shows major revised points.
Description
The MC-4516CB64ES and MC-4516CB64PS are 16,777,216 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module
(Small Outline DIMM) on which 8 pieces of 128 M SDRAM:
PD45128841 are assembled.
These modules provide high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-
mounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.
Features
16,777,216 words by 64 bits organization
Clock frequency and access time from CLK
Part number
/CAS Latency
Clock frequency (MAX.)
Access time from CLK (MAX.)
MC-4516CB64ES-A10B
CL = 3
100 MHz
7
ns
CL = 2
67 MHz
8
ns
MC-4516CB64PS-A10B
CL = 3
100 MHz
7
ns
CL = 2
67 MHz
8
ns
Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge
Pulsed interface
Possible to assert random column address in every cycle
Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)
Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and Full Page)
Programmable wrap sequence (Sequential
/
Interleave)
Programmable /CAS latency (2, 3)
Automatic precharge and controlled precharge
CBR (Auto) refresh and self refresh
Single +3.3
V
0.3
V power supply
LVTTL compatible
4,096 refresh cycles/64
ms
Burst termination by Burst Stop command and Precharge command
144-pin small outline dual in-line memory module (Pin pitch = 0.8
mm)
Unbuffered type
Serial PD
5
Data Sheet M13611EJ5V0DS00
2
MC-4516CB64ES, 4516CB64PS
Ordering Information
Part number
Clock frequency
MHz (MAX.)
Package
Mounted devices
MC-4516CB64ES-A10B
100 MHz
144-pin Small Outline DIMM
8 pieces of
PD45128841G5 (Rev. E)
Edge connector: Gold Plated
(10.16mm (400) TSOP (II))
MC-4516CB64PS-A10B
(Socket type)
8 pieces of
PD45128841G5 (Rev. P)
26.67 mm height
(10.16mm (400) TSOP (II))
5
Data Sheet M13611EJ5V0DS00
3
MC-4516CB64ES, 4516CB64PS
Pin Configuration
144-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
Vss
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
Vss
DQMB0
DQMB1
A0
A1
A2
Vss
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
Vss
NC
NC
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
135
137
139
141
143
CLK0
Vcc
/RAS
/WE
/CS0
NC
NC
Vss
NC
NC
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
Vss
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
Vcc
A6
A8
Vss
A9
A10
Vcc
DQMB2
DQMB3
Vss
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
Vss
SDA
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
Vss
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
Vcc
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
Vss
DQMB4
DQMB5
Vcc
A3
A4
A5
Vss
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
Vcc
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
Vss
NC
NC
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
CKE0
Vcc
/CAS
NC
NC
NC
CLK1
Vss
NC
NC
Vcc
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
Vss
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
Vcc
A7
BA0 (A13)
Vss
BA1 (A12)
A11
Vcc
DQMB6
DQMB7
Vss
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
Vcc
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
Vss
SCL
Vcc
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
/xxx indicates active low signal.
A0 - A11
: Address Inputs
[Row: A0 - A11, Column: A0 - A9]
BA0(A13), BA1(A12) : SDRAM Bank Select
DQ0 - DQ63
: Data Inputs/Outputs
CLK0, CLK1
: Clock Input
CKE0
: Clock Enable Input
/CS0
: Chip Select Input
/RAS
: Row Address Strobe
/CAS
: Column Address Strobe
/WE
: Write Enable
DQMB0 - DQMB7
: DQ Mask Enable
SDA
: Serial Data I/O for PD
SCL
: Clock Input for PD
V
CC
: Power Supply
V
SS
: Ground
NC
: No Connection
Data Sheet M13611EJ5V0DS00
4
MC-4516CB64ES, 4516CB64PS
Block Diagram
DQMB0
/CS0
/WE
DQM
D0
/CS
/WE
DQ 6
DQ 7
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
D1
DQM
/CS
/WE
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
D2
/WE
DQ 31
DQ 30
DQ 29
DQ 28
DQ 27
DQ 26
DQ 25
DQ 24
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
D3
DQM
/CS
/WE
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
D6
DQM
/CS
/WE
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 0
D7
DQM
/CS
/WE
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
D5
DQM
/CS
/WE
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 0
DQM
D4
/CS
/WE
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 0
DQ 23
DQ 22
DQ 21
DQ 20
DQ 19
DQ 18
DQ 17
DQ 16
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
A0 - A11
A0 - A11: D0 - D7
V
CC
D0 - D7
D0 - D7
SERIAL PD
SCL
SDA
A0
A1
A2
DQMB1
DQMB3
DQMB7
DQMB6
DQMB5
DQMB4
DQMB2
DQM
/CS
BA0
A13: D0 - D7
/RAS
/RAS: D0 - D7
/CAS
/CAS: D0 - D7
CKE0
CKE: D0 - D7
CLK0
CLK1
CLK : D0, D4
CLK : D1, D5
CLK : D2, D6
CLK : D3, D7
V
SS
C
10
10
BA1
A12: D0 - D7
Remark
D0 - D7:
PD45128841 (4M words
8bits
4banks)
Data Sheet M13611EJ5V0DS00
5
MC-4516CB64ES, 4516CB64PS
Electrical Specifications
All voltages are referenced to V
SS
(GND).
After power up, wait more than 100
s and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper
device operation is achieved.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Condition
Rating
Unit
Voltage on power supply pin relative to GND
V
CC
0.5 to +4.6
V
Voltage on input pin relative to GND
V
T
0.5 to +4.6
V
Short circuit output current
I
O
50
mA
Power dissipation
P
D
8
W
Operating ambient temperature
T
A
0 to +70
C
Storage temperature
T
stg
55 to +125
C
Caution
Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
Recommended Operating Conditions
Parameter
Symbol
Condition
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Supply voltage
V
CC
3.0
3.3
3.6
V
High level input voltage
V
IH
2.0
V
CC
+
0.3
V
Low level input voltage
V
IL
0.3
+
0.8
V
Operating ambient temperature
T
A
0
70
C
Capacitance (T
A
= 25
C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Test condition
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Input capacitance
C
I1
A0 - A11, BA0(A13), BA1(A12),
/RAS, /CAS, /WE
55
pF
C
I2
CLK0, CLK1
36
C
I3
CKE0
55
C
I4
/CS0
55
C
I5
DQMB0 -DQMB7
10
Data input/output capacitance
C
I/O
DQ0 - DQ63
10
pF
PDF 
ZIP